在栅极和SMU数据中使用平方信号进行热超应力老化
带有方信号栅极电压偏置的热过应力老化(先前发送的器件)
数据包含在Mat格式文件中，表示从使用方形信号偏置门的热过应力老化实验中收集的数据。实验将封装温度控制在器件额定温度之外的一个范围内，目的是加速器件的老化。监测了集电极电流、集电极电压、栅极电压和封装温度等参数。文件“Device Aging log.xls”包含与每个实验的设置以及Mat格式文件如何与老化过程中的不同部分相关的信息。
该装置的结构包括将发射极连接到电源的地，并将集电极与电阻串联到电源的正引线上。该门由一个高速放大器驱动，该放大器放大函数发生器的输出。
注意:在这些设备老化期间，我们的老化系统遇到了几个问题。结果，许多瞬态测量都丢失了。此外，集电极电流测量不准确，有~600mA的漂移。最后，稳态测量没有适当地缩放。 此外，文件夹“SMU Parameter Characterization”包含通过源测量单元表征三个参数的数据。这些参数是:阈值电压、击穿电压和泄漏电流。
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其他信息
| 域 | 价值 |
|---|---|
| Data last updated | 2023年9月19日 |
| Metadata last updated | 2023年9月19日 |
| 创建的 | 2023年9月19日 |
| 格式 | ZIP |
| 授权 | 没有指定授权 |
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